📘 О чем эта работа
Практическая лабораторная работа посвящена исследованию воздействия частотно-независимой последовательной отрицательной обратной связи по току на параметры каскада с общим эмиттером. Объект исследования — однотранзисторный усилитель на 2N3904 (КТ375Б); предмет — изменение коэффициента усиления, входного/выходного сопротивлений и верхней граничной частоты при включении ООС.
📚 Что внутри
Работа содержит подробные расчёты и таблицу итоговых значений, выполненные по заданным исходным данным:
- Паспортные параметры транзистора: h21эмин=50, h21эмах=280, Ск=5 пФ, fгр=250 МГц, Ikо=7,5 мА.
- Расчёты параметров малосигнальной модели: среднее h21э=118,32; rб' = 50 Ω; rб'э = 24,35 Ω; h11э ≈ 74,35 Ω.
- Входное сопротивление без ООС Rвх ≈ 73,9 Ω (учёт делителя базы Rб1=101 кОм, Rб2=15 кОм).
- Выходное сопротивление каскада Rвых ≈ 493,04 Ω (параллель 15 кОм и Rк=510 Ω при учёте внутреннего Rвых транзистора 20 кОм).
- Сквозной коэффициент усиления без ООС Ке ≈ 327,07; верхняя граничная частота fвгр ≈ 19,4 кГц (расчёт по эквивалентной ёмкости входа).
- Модель с последовательной частотно-независимой ООС по току: введён резистор эмиттера Rо = 520 Ω, сопротивление нагрузки Rнаг = 360 Ω.
- Глубина обратной связи F ≈ 62,9; при этом рассчитаны параметры с ООС: Кеос ≈ 0,714 (по упрощённой формуле), входное сопротивление для генератора Rвхос ≈ 1916,6 Ω, выходное сопротивление остаётся ≈ 493,04 Ω, вычисленное fгр(ос) ≈ 1,22 МГц (в работе приведены соответствующие формулы и проверки промежуточных величин).
- Таблица итоговых значений собрана в разделе «Итоговые значения» и содержит сравнение ключевых параметров «без ООС» / «с ООС».
📊 Для кого подходит
Материал полезен студентам профильных дисциплин «Электроника» и «Схемотехника», а также инженерам-лаборантам и техникам при выполнении лабораторных работ и при расчёте однотранзисторных усилителей на базе 2N3904. Применим для курсовых и практических заданий по расчёту ООС и оценке устойчивости и широкополосности каскадов.
✨ Особенности
В работе представлены готовые численные примеры и формулы: средний h21э, величины rб', rб'э, Y-параметры, эквивалентная ёмкость входа, расчёт глубины ООС и её влияние на характеристики каскада. Приведены конкретные исходные данные (Rб1, Rб2, Rк, Rо, Rнаг), что облегчает повторение расчётов или адаптацию под другие параметры транзистора.
❓ Частые вопросы
Подойдет ли для моего ВУЗа?
Структура содержит цель, исходные данные, последовательные расчёты и вывод — соответствует типичным требованиям к лабораторным работам по электронике.
Можно адаптировать?
Да: все формулы и промежуточные расчёты подписаны — достаточно заменить паспортные параметры транзистора или значения внешних резисторов.
Вывод
Работа демонстрирует, что последовательная отрицательная обратная связь по току значительно снижает сквозной коэффициент усиления и увеличивает входное сопротивление, при этом в расчётах показано изменение верхней граничной частоты. Приложенные вычисления и таблицы позволяют быстро получить численные оценки при изменении параметров схемы.